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SK 海力士成功开发基于 321 层 NAND 闪存的 UFS 4.1 解决方案产品

文 / 小亚 2025-05-22 08:39:01 来源:亚汇网

SK海力士表示:“为了在移动设备上实现端侧(On-device)AI的稳定运行,所搭载的NAND闪存解决方案产品必须兼具高性能与低功耗特性。依托这款对AI工作负载优化的UFS4.1产品,公司将进一步巩固其在旗舰智能手机市场中的存储器技术领导地位。”据介绍,随着端侧AI的需求持续增长,终端设备的计算性能与电池效率之间的平衡日趋关键,超薄设计和低功耗特性已成为移动设备的行业标准。顺应这一趋势,公司此次开发的新品较上一代基于238层NAND闪存的产品能效提升了7%。同时,成功将产品厚度从1mm减薄至0.85mm,使其能够适配超薄智能手机。亚汇网查询获悉,该产品支持第四代UFS产品的顺序读取峰值,数据传输速率高达4300MB/s。决定移动设备多任务处理能力的随机读取和写入速度,相较上一代产品分别提升了15%与40%,达到现存UFS4.1产品中全球领先水平。该产品提供512GB和1TB两种容量规格。公司计划于今年内向客户交付样品以进行验证流程,并将于明年第一季度正式进入量产阶段。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,亚汇网所有文章均包含本声明。

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