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安森美同英诺赛科达成 MOU,计划就 40~200V 氮化镓 GaN 器件制造展开合作

文 / 小亚 2025-12-03 14:39:03 来源:亚汇网

双方计划结合安森美在系统集成、驱动器、封装上的专业知识和英诺赛科的GaN晶圆制造领导力,以英诺赛科的200mm(亚汇网注:即八英寸)硅基GaN技术平台扩大安森美40~200V中低电压GaN功率器件的制造规模。对于安森美的客户而言,此项合作关系将带来更快的上市时间、可扩展的生产制造能力、更低的系统成本。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,亚汇网所有文章均包含本声明。

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